3C-SiC ヘテロエピタキシャルウェーハ

エア・ウォーターがGaN用基板である3C-SiC(111)ヘテロエピタキシャルウェーハを開発、サンプル出荷を始めた模様☆
高真空エピタキシャル成長装置を開発し、Siの融点より低い1000℃程度で高品質なSiC単結晶を成長させたものらしいです。
これが量産されれば、LEDなんかの値も更に下がるかもですネ☆
🌐SIC事業|エア・ウォーター株式会社⭐
http://www.awi.co.jp/business/sic/index.html
In just another dimension by Michyo
エア・ウォーターがGaN用基板である3C-SiC(111)ヘテロエピタキシャルウェーハを開発、サンプル出荷を始めた模様☆
高真空エピタキシャル成長装置を開発し、Siの融点より低い1000℃程度で高品質なSiC単結晶を成長させたものらしいです。
これが量産されれば、LEDなんかの値も更に下がるかもですネ☆
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