3C-SiC ヘテロエピタキシャルウェーハ

エア・ウォーターがGaN用基板である3C-SiC(111)ヘテロエピタキシャルウェーハを開発、サンプル出荷を始めた模様☆

高真空エピタキシャル成長装置を開発し、Siの融点より低い1000℃程度で高品質なSiC単結晶を成長させたものらしいです。

これが量産されれば、LEDなんかの値も更に下がるかもですネ☆

 

🌐SIC事業|エア・ウォーター株式会社⭐
http://www.awi.co.jp/business/sic/index.html

みっちょ

SALON Doluce 代表。ハッカーでカウンセラー、占い師でカメラマン、その他あらゆる顔を持つ変な人。キッズプログラミング講師、パソコン修理、カウンセリングなど喜んで承ります。お気軽にお声掛けください!

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