3C-SiC ヘテロエピタキシャルウェーハ
エア・ウォーターがGaN用基板である3C-SiC(111)ヘテロエピタキシャルウェーハを開発、サンプル出荷を始めた模様☆
高真空エピタキシャル成長装置を開発し、Siの融点より低い1000℃程度で高品質なSiC単結晶を成長させたものらしいです。
これが量産されれば、LEDなんかの値も更に下がるかもですネ☆
🌐SIC事業｜エア・ウォーター株式会社⭐
http://www.awi.co.jp/business/sic/index.html
